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- AB-036ポーラログラフィーによる測定のための金属イオンの半波電位
次の表では、90の金属イオンの半波電位またはピーク電位が列記されています。半波電位 (ボルト/ V に列記) は、特別に明記されていない限り、25°Cで滴下水銀電極 (DME) で測定されます。
- AB-089Potentiometric analysis of anodizing baths
This Bulletin describes potentiometric titration methods for checking sulfuric acid and chromic acid anodizing baths. In addition to the main components aluminum, sulfuric acid, and chromic acid, chloride, oxalic acid, and sulfate are determined.
- AB-121イオン選択性電極を用いた野菜・飲料・肥料中の硝酸塩測定
食品から硝酸塩を過剰に摂取すると、特に小さな子供や感受性の高い大人にチアノーゼが起こることが以前から知られています。WHO の規格では、人が c(NO3-) ≥ 50 mg/L の硝酸塩を摂取すると危険とされています。しかし、最近の研究では、人体内の硝酸塩濃度が高すぎると、(亜硝酸塩を介して)発がん性が指摘され、さらに危険なニトロソアミンが生成される可能性があることが明らかになりました。硝酸アニオンを測定するための既知の測光メソッドは、時間がかかり、広範囲にわたる干渉を受けやすくなります。硝酸塩分析の重要性がますます高まる中、選択的かつ迅速で、比較的正確な分析法の要求も高まっています。この技術資料では、水サンプル、土壌抽出物、肥料、野菜、飲料の硝酸塩濃度を迅速測定した応用例を紹介しています。
- AB-130Chloride titrations with potentiometric indication
Besides acid-base titrations, the titrimetric determination of chloride is one of the most frequently used titrimetric methods of analysis. It is employed more or less frequently in practically every laboratory. This Bulletin shows you how to determine chloride in a wide range of concentrations using automatic titrators. Silver nitrate is normally used as titrant (for environmental reasons one should refrain from using mercury nitrate). The titrant concentration depends on the chloride content of the sample to be analyzed. It is crucial to choose the correct electrode for samples with low chloride contents.
- AB-132Polarographic determination of molybdenum in strongly ferruginous materials
A method is described in this Bulletin that allows molybdenum to be determined in steel and other materials containing a high iron concentration. Mo(VI) is determined at the dropping mercury electrode by catalytic polarography. The determination limit is approx. 10 μg/L Mo(VI).
- AB-176アノードストリッピングボルタンメトリーによる鉛および錫の測定
多くの電解質において鉛と錫のピーク電位はあまりにも近接しているため、電圧電流法での測定は不可能です。特に片方の金属が過度に存在している場合に、その困難は生じます。メソッド1では、Pb および Sn の測定について説明しています。アノードストリッピングボルタンメトリー (ASV) は、臭化セチルトリメチルアンモニウムを添加した上で用いられます。このメソッドは以下の場合に使用されます:• 主に Pb について調査したいとき• Pbが過度に存在しているとき• Sn/Pb の比率が200:1を超えないときメソッド1に従って、Sn とPb は、濃度差が高過ぎず、Cd が含まれていなければ、同時に測定することができます。メソッド2は微量の Sn と Pb が検出されている、または、TI および/または Cd イオンが存在する場合に適用されます。このメソッドは、メチレンブルーの添加されたシュウ酸緩衝液において DPASV も使用します。
- AB-192ポーラログラフィーおよびカソードストリッピングボルタンメトリーによる低いmg/Lおよびµg/L範囲におけるチオ尿素の測定
チオ尿素は、水銀と共に不溶性の高い化合物を形成します。その結果生じる陽極波はチオ尿素のポーラログラフィー測定に用いられます。ごく少量 (µg/L) の分析にはカソードストリッピングボルタンメトリー (CSV) が用いられます。示差パルス測定モードはいずれのケースにも用いられます。
- AB-196ポーラログラフィーによるホルムアルデヒドの測定
ホルムアルデヒドは DME で還元的に測定することが可能です。サンプル組成によって、サンプルでホルムアルデヒドを直接測定できるかどうかは異なります。干渉が生じる場合、吸収、抽出、または蒸留などのサンプル前処理が必要となります。ここでは2つのメソッドについて説明します。1つ目のメソッドでは、ホルムアルデヒドはアルカリ性溶液にて直接還元されます。高濃度のアルカリ度またはアルカリ土類金属は干渉します。このような場合は、2つ目のメソッドを使用することができます。ホルムアルデヒドは、酸性溶液にてポーラログラフィーによって測定することのできるヒドラゾンを形成するヒドラジンを用いて誘導体化されます。
- AB-420動的加算ボリュームを使用したキャリブレーション手法«smartDT»を使用したCVSによるサプレッサーの決定
Application Bulletinは、smartDTによる酸性銅浴中のサプレッサーの測定について説明しています。希釈滴定(DT)によるサプレッサーの測定には、評価比に到達するための標準溶液またはサンプルの多数の添加が含まれます。通常、固定された等距離の追加ボリュームが使用されます。smartDTでは、ソフトウェアによって動的に計算される可変加算量が使用されます。最初は、ボリュームが大きくなっています。評価率に向けて、添加量を少なくし、精度の高い結果を保証します。オペレーターは、使用する最初の最小の追加ボリュームを定義します。その間のすべてのボリュームは、決定の進行状況を考慮してソフトウェアによって計算されます。追加ボリュームが固定された従来のDTと比較して、smartDTを使用すると、最大40%の時間を節約できます。 smartDTは、線形補間だけでなく、非線形回帰と2次回帰にも適しています。酸性銅浴、スズおよびスズ鉛浴のサプレッサーの測定に使用でき、1、2、および3mmのPt作用電極で機能します。サプレッサー標準またはサンプルの自動追加には、800Dosinoが必要です。この方法は、完全に自動化されたシステムでも使用できます。
- AN-EC-011Autolab 回転リングディスク電極 (RRDE) を用いた銅の電着における中間体についての調査
銅はほぼ間違いなく、特に半導体産業において科学技術的に最も関連性のある金属の1つでしょう。この産業で用いられる蒸着プロセスは、デュアルダマシンプロセスとして知られ、それは添加物が存在する上で、酸性の第二銅化合物からの銅の電着に作用します。このApplication Noteでは、銅の電着についての調査と、Cu+中間体検出のための Autolab 回転リングディスク電極 (RRDE) の使用について説明されています。
- AN-H-005Determination of cuprous ions in the presence of ferrous ions
Determination of cuprous ions in the presence of ferrous ions in electrochemical copper leaching solutions.
- AN-H-021Determination of free acid in copper refining solutions
Determination of free acid in copper refining solutions.
- AN-H-070Determination of ferric and cupric Ions in copper refining solutions
Determination of Fe3+ and Cu2+ in copper refining solutions by thermometric titration. It was found that the conventional approach of masking Fe3+ to permit the iodometric determination of Cu2+ is not possible in some copper refining solutions.
- AN-I-004Nitrate content of a copper plating bath
Determination of nitrate in a copper plating bath after conversion of nitrate to ammonium. Direct potentiometric measurement using the NH3-ISE.
- AN-PAN-1067銅めっきプロセスにおける有機添加剤のオンライン分析
銅めっき浴における有機添加剤のモニタリングは重要です。2060 CVSプロセスアナライザーは、精密な浴制御を提供することで銅電気めっきを最適化します。
- AN-S-316Determination of brighteners in copper baths with the help of IC and Metrohm Inline Cation Removal in addition to column switching technique
Special brighteners are used in electroplating baths in order to provide the refined surfaces with greater brightness. The concentration of brighteners must be kept constant at all times in order to ensure uniform end product quality. This Application Note describes how brighteners are determined in parallel with IC and CVS. The corresponding CVS application can be found under AN-V-183.
- AN-T-022Cyanide in alkaline plating baths for cadmium, copper, lead or zinc
Determination of cyanide in alkaline plating baths by potentiometric titration with silver nitrate using the Ag-Titrode.
- AN-T-023Hydroxide and carbonate in alkaline plating baths for cadmium, copper, lead, or zinc
Determination of hydroxide and carbonate in alkaline plating baths by potentiometric titration with HCl using the combined glass electrode.
- AN-T-024Metal contents of alkaline plating baths for cadmium, copper, lead or zinc
Determination of cadmium, copper, lead, and zinc in alkaline plating baths by potentiometric titration with EDTA using the Cu-ISE.
- AN-T-100自動滴定装置による酸性銅めっき浴中の塩化物イオンの測定
この技術資料では、電位差自動滴定装置を使用した酸性銅鍍金液浴中の塩化物イオン測定を紹介しています。
- AN-T-223自動滴定装置による電気めっき浴の完全自動分析
電気めっきは、さまざまな産業分野で、製品の表面を腐食や摩耗から保護し、その使用寿命を大幅に延ばすために利用されています。電気めっき浴の代表的な例としては、アルカリ性の脱脂浴や、銅、ニッケル、クロムなどの金属や、塩化物、シアン化物といった成分を含む酸性またはアルカリ性の浴液が挙げられます。OMNIS サンプルロボットシステムは、自動的にサンプルをピペッティングし、分析を行うことで、ラボ内の安全性を向上させます。手動滴定と比較してより信頼性の高い結果が得られ、複数のパラメータを並行して分析できるため、時間効率も向上します。
- AN-V-133抑制剤(サプレッサー) «Copper Gleam 2001 Carrier» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Copper GleamTM 2001 Carrier» の濃度測定を説明します。
- AN-V-134光沢剤(ブライトナー) «Copper Gleam 2001 Additive» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Copper GleamTM 2001 Additive» の濃度測定を説明します。
- AN-V-135抑制剤(サプレッサー) «Cupracid BL-CT» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupracid BL-CT» の濃度測定を説明します。
- AN-V-136光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたLAT法(Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» の濃度測定を説明します。
- AN-V-137抑制剤(サプレッサー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-138光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-140酸性銅めっき液中の全アンチモン(T-Sb)の濃度測定
塩酸を電解液として用いたアノード ストリッピング ボルタンメトリー により、酸性銅めっき液中の全アンチモン(Sb)濃度を測定しました。銅(Cu)が過剰であるため、析出電位はアンチモン(Sb)のシグナルより50mVだけマイナスに選ぶ必要があります。
- AN-V-141抑制剤(サプレッサー) «MACuSpec PPR 100 Wetter» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«MACuSpecTM PPR 100 Wetter» の濃度測定を説明します。
- AN-V-142光沢剤(ブライトナー) «MACuSpec PPR 100» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «MACuSpecTM PPR 100 Brightener» の濃度測定を説明します。
- AN-V-143抑制剤(サプレッサー) «Multibond 100 Part A20» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «MultiBondTM 100 Part A20»の濃度測定を説明します。
- AN-V-146抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Pulse Voltammetric Stripping (CPVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» の濃度測定を説明します。
- AN-V-147光沢剤(ブライトナー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー)«InPulse H6»の濃度測定を説明します。
- AN-V-155抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B» の濃度測定を説明します。
- AN-V-156光沢剤(ブライトナー) «スルカップEVF-1A»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «スルーカップ EVF-1A» の濃度測定を説明します。
- AN-V-157平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたRC法(Response Curve technique)による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R» の濃度測定を説明します。
- AN-V-161シアン化銅めっき液中の銅(Cu)の濃度測定
シアン化銅めっき液中の銅(Cu)の濃度は、ポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-182抑制剤(サプレッサー) «トップルチナa-M»(奥野製薬工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «トップルチナα-M» の濃度測定を説明します。
- AN-V-183光沢剤 (ブライトナー) «トップルチナa-2»(奥野製薬工業) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «トップルチナα-2» の濃度測定を説明します。
- AN-V-184平滑剤(レベラー) «トップ・ルチナa-3»(奥野製薬工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたRC法(Response Curve technique) による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «トップルチナα-3» の濃度測定を説明します。
- AN-V-202smartDTによる酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)の濃度測定
DT法 (Dilution Titration technique) による抑制剤(サプレッサー)の濃度測定では、評価比(Q/Q(0))に達するまで標準液または試料を何度も添加します。通常、固定された等量添加量が使用されます。smartDTでは、ソフトウェアによって自動的に計算される可変添加量が使用されます。最初のうちは添加量は多めです。評価比(Q/Q(0))に近づくにつれ、結果の精度を保証するために、添加量を少なくします。オペレーターは、使用する最初と最少の添加量を設定します。その間のすべての添加量は、測定の進捗を考慮してソフトウェアによって計算されます。インテリジェントな添加機能を持つsmartDTを使用すると、従来のDTと同じかそれ以上の精度で、抑制剤(サプレッサー)の濃度測定を大幅に高速化することができます。1回の測定で20~40%の時間短縮が可能となります。
- AN-V-203Determination of copper in electrolyte solutions for production of CIGS solar cells
This Application Note describes the polarograhic determination of copper in electroplating baths used in the production of thin-film copper indium gallium diselenide solar cells (CIGS cells). The CIGS absorber layer is electrodeposited on a molybdenum-coated substrate.Copper analysis is carried out after dilution of the sample with sulfuric acid as supporting electrolyte.
- AN-V-204Determination of indium in electrolyte solutions for production of CIGS solar cells
This Application Note describes the polarographic determination of indium in electroplating baths used in the production of copper indium gallium diselenide thin-film solar cells (CIGS cells). The CIGS absorber layer is electrodeposited on the molybdenum-coated substrate. Indium analysis is carried out after dilution of the bath sample with sulfuric acid as supporting electrolyte.
- AN-V-205Determination of gallium in electrolyte solutions for production of CIGS solar cells
This Application Note describes the determination of gallium in electroplating baths used in the production of copper indium gallium diselenide thin-film solar cells (CIGS cells). The CIGS absorber layer is electrodeposited on a molybdenum-coated substrate. Gallium analysis using anodic stripping voltammetry (ASV) is carried out after dilution of the sample with sulfuric acid as supporting electrolyte.
- AN-V-206Determination of selenite in electrolyte solutions for production of CIGS solar cells
This Application Note describes the polarographic determination of selenite in electroplating baths used in the production of copper indium gallium diselenide thin-film solar cells (CIGS cells). The CIGS absorber layer is electrodeposited on a molybdenum-coated substrate. Selenite analysis is carried out after dilution of the sample with sulfuric acid as supporting electrolyte.
- WP-051多成分めっき浴の自動CVSメソッドの開発および最適化
過去30年間、サイクリックボルタンメトリーストリッピング (CVS) は回路基板やウエハめっき産業における銅めっき浴の有機添加物の分析のための標準メソッドでした。このような浴槽の成分のバリエーションにより、より最適なメソッド開発ルーチンへのニーズが生まれました。CVSのためのハードウェアならびにソフトウェアプロトコルにおける新たな向上により、かなりの範囲においてメソッド最適化のあらゆるプロセスが簡素化されました。この研究では、メソッド最適化のプロセスはこれらのプロトコルのとの併用において議論されています。
- WP-062イオンの測定における困難の克服: 標準添加と直接測定に関するヒント
イオン測定は、例えばイオンクロマトグラフィー (IC)、誘導結合プラズマ発光分光分析 (ICP-OES)、もしくは原子吸光分光法 (AAS) など、複数の異なる方法で実施することができます。これらはいずれも、分析研究所において幅広く用いられている、確立したメソッドです。しかしながら、比較的高い初期費用がかかります。 対照的に、イオン選択性電極 (ISE) を用いたイオン測定は、これらの高額な技術に対する有望な代替法です。このホワイトペーパーでは、標準添加または直接測定を適用した際に直面し得る難題と、分析者がこのようなタイプの分析でより高い信頼性を得るためにいかにその問題を克服するかについて説明されています。