應用領域

介绍通过双安培终点指示自动滴定方法来测定电缆铅锑合金中的锑（约 1% Sb）。使用 0.01 mol/L KBrO 溶液作为滴定剂。

用溶出伏安法测定浓度在 sub-ppb 范围的金属Cd，Co，Cu，Fe，Ni，Pb和Zn （检测限 0.05 µg/L）。 采用DP-ASV法测定Cd，Cu，Pb 和 Zn，而采用DP-CSV法测定Co，Ni和Fe（丁二酮肟或儿茶酚络合物）。使用 VA Processor 和样品转换器可对溶液中的上述金属离子进行自动测定。 该方法为基于硅的半导体芯片生产过程中的痕量分析而专门开发。 自然也可成功用于环境分析。

锂离子电池须全不含水（H2O 浓度<20mg / kg），因为水会与导电盐（例如 LiPF6）反应形成氢氟酸。通过库仑卡尔·费休滴定法，可以靠谱、准确地测定锂离子电池中几种材料的含水量。本应用报告描述了以下材料的测定方法：用于制造锂离子电池的原料（例如电解质溶剂、炭黑/石墨）; 用于阳极涂层和阴极涂层的电极涂层制剂（浆料）; 已涂覆的阳极膜和阴极膜以及隔离膜和组合材料; 锂离子电池用电解质。

电子产品制造过程中不可忽视清洁。尤其是离子性污染会导致电路板质量急剧恶化。本 Application Note 将介绍电路板表面阴离子的测定。为此所使用的方法－智能 Partial Loop（局部循环）进样工艺（MiPT）－可在同一样品中测定阳离子和阴离子。阳离子的测定在 AN-S-317 中进行了描述。

铜可以说是技术上最相关的金属之一，尤其是对于半导体行业。在该行业中使用的沉积工艺被称为双镶嵌工艺，该工艺涉及在添加剂的存在下从酸性铜化合物中电沉积铜。本 Application Note 说明了使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜的电沉积和 Cu+中间体的检测。

在这里，介绍了用于EIS的非常常见的电路元件，它们可以以不同的配置组装，以获得用于数据分析的等效电路。

在本应用简报中，探索如何构建简单和复杂的等效电路模型以拟合EIS数据。每个示例都展示了Nyquist图。

在关于等效电路模型的 Application Note AN-EIS-004 中，给出了用于构建等效电路模型的不同电路元件的概述。在为所研究的系统确定合适的模型之后，数据分析的下一步是模型参数的估计。这是通过模型对数据的非线性回归来完成的。大多数阻抗系统都带有数据拟合程序。 在本 Application Note 中，显示了使用 NOVA 拟合数据的方式。

在本 Application Note 中，描述了在电化学阻抗测量期间记录每个个体频率的原始时域数据的优势。

电化学阻抗谱（EIS）是一种功能强大的技术，可提供有关在电极 - 电解质界面发生的过程的信息。用适当的等效电路对 EIS 采集的数据进行建模。拟合过程将改变参数的值，直到数学函数在一定误差范围内与实验数据相匹配。在本 Application Note 中，为了获得可接受的初始参数并进行准确的拟合，给出了一些建议。