应用报告
- AB-004用于测定铅中锑的双安培滴定法
介绍通过双安培终点指示自动滴定方法来测定电缆铅锑合金中的锑（约 1% Sb）。使用 0.01 mol/L KBrO 溶液作为滴定剂。
- AB-147采用溶出伏安法同时测定 «电子级»材料中的七种痕量金属
用溶出伏安法测定浓度在 sub-ppb 范围的金属Cd，Co，Cu，Fe，Ni，Pb和Zn （检测限 0.05 µg/L）。 采用DP-ASV法测定Cd，Cu，Pb 和 Zn，而采用DP-CSV法测定Co，Ni和Fe（丁二酮肟或儿茶酚络合物）。使用 VA Processor 和样品转换器可对溶液中的上述金属离子进行自动测定。 该方法为基于硅的半导体芯片生产过程中的痕量分析而专门开发。 自然也可成功用于环境分析。
- AB-434锂离子电池材料中的水 - 通过卡尔·费休滴定法进行靠谱和准确的测定
锂离子电池须全不含水（H2O 浓度<20mg / kg），因为水会与导电盐（例如 LiPF6）反应形成氢氟酸。通过库仑卡尔·费休滴定法，可以靠谱、准确地测定锂离子电池中几种材料的含水量。本应用报告描述了以下材料的测定方法：用于制造锂离子电池的原料（例如电解质溶剂、炭黑/石墨）; 用于阳极涂层和阴极涂层的电极涂层制剂（浆料）; 已涂覆的阳极膜和阴极膜以及隔离膜和组合材料; 锂离子电池用电解质。
- AN-C-149测定电路板表面上的离子
电子产品制造过程中不可忽视清洁。尤其是离子性污染会导致电路板质量急剧恶化。本 Application Note 将介绍电路板表面阴离子的测定。为此所使用的方法－智能 Partial Loop（局部循环）进样工艺（MiPT）－可在同一样品中测定阳离子和阴离子。阳离子的测定在 AN-S-317 中进行了描述。
- AN-EC-011使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜电沉积的中间体
铜可以说是技术上最相关的金属之一，尤其是对于半导体行业。在该行业中使用的沉积工艺被称为双镶嵌工艺，该工艺涉及在添加剂的存在下从酸性铜化合物中电沉积铜。本 Application Note 说明了使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜的电沉积和 Cu+中间体的检测。
- AN-EIS-003电化学阻抗谱（EIS）第3部分 - 数据分析
在这里，介绍了用于EIS的非常常见的电路元件，它们可以以不同的配置组装，以获得用于数据分析的等效电路。
- AN-EIS-004电化学阻抗谱（EIS）第4部分 - 等效电路模型
在本应用简报中，探索如何构建简单和复杂的等效电路模型以拟合EIS数据。每个示例都展示了Nyquist图。
- AN-EIS-005电化学阻抗谱 (EIS) 第 5 部分 – 参数的估计
在关于等效电路模型的 Application Note AN-EIS-004 中，给出了用于构建等效电路模型的不同电路元件的概述。在为所研究的系统确定合适的模型之后，数据分析的下一步是模型参数的估计。这是通过模型对数据的非线性回归来完成的。大多数阻抗系统都带有数据拟合程序。 在本 Application Note 中，显示了使用 NOVA 拟合数据的方式。
- AN-EIS-006电化学阻抗谱 (EIS) 第 6 部分– 测量 EIS 中的原始信号
在本 Application Note 中，描述了在电化学阻抗测量期间记录每个个体频率的原始时域数据的优势。
- AN-EIS-007EIS 数据拟合 - 如何获得等效电路元件的良好起始值
电化学阻抗谱（EIS）是一种功能强大的技术，可提供有关在电极 - 电解质界面发生的过程的信息。用适当的等效电路对 EIS 采集的数据进行建模。拟合过程将改变参数的值，直到数学函数在一定误差范围内与实验数据相匹配。在本 Application Note 中，为了获得可接受的初始参数并进行准确的拟合，给出了一些建议。
- AN-H-089自动分析六氟硅酸
自动测定工业级六氟硅酸中的 H 2SiF 6 和 HF 含量。
- AN-NIR-089层压板的质量控制
在半导体工业中，热固性树脂与织物或纸张相结合，用作印刷电路板（PCB）基板之间的中间层。这些聚合物基板（层压板）的选择取决于厚度及其热机械和电气特性。近红外光谱 (NIRS) 是一种快速、无损、易用的分析方法，可在一分钟内测量多个关键质量参数。以下应用说明介绍了用近红外光谱测定 PCB 层压板的转变时间，该参数与材料的厚度、玻璃化转变温度和抗拉强度相关。
- AN-PAN-1028在线监测显影液中的四甲基氢氧化铵 (TMAH)
用于制造半导体的化学品须具有非常高的纯度，因为即使是微量的污染物也会对电气性能产生负面影响。在印制电路板的生产过程中，基板（晶片）上的光敏光刻胶要借助光模板在特定区域进行曝光，然后在化学反应中显影。显影剂中含有 2.38% 至 2.62% 的四甲基氢氧化铵 (TMAH)，可确保曝光区域与基板分离。对显影液中 TMAH 浓度的监控是通过瑞士万通 Applikon 公司专门为滴定配置的过程分析仪进行的。此外，此在线分析仪还有助于 TMAH 溶液的混合。
- AN-S-182照片显影液中的溴离子与硫氧离子。
采用化学抑制后电导检测的阴离子色谱法测定一种照片显影液中的溴离子，亚硫酸根，硫酸根与硫代硫酸根。
- AN-S-317测定电路板表面上的离子
电子产品制造过程中不可忽视清洁。尤其是离子性污染会导致电路板质量急剧恶化。本 Application Note 将介绍电路板表面阴离子的测定。为此所使用的方法－智能 Partial Loop（局部循环）进样工艺（MiPT）－可在同一样品中测定阳离子和阴离子。阳离子的测定在 AN-C-149 中进行了描述。
- AN-S-365浓缩电子级氢氧化铵中的阴离子杂质。
半导体行业需要超纯化学品。离子杂质可能会导致产品受损。本应用程序描述了电子级 28％ 氢氧化铵溶液中阴离子杂质的测定方法。为了避免基质干扰，需要采用英蓝中和和英蓝预浓缩清除基质。
- AN-T-218分析由 Co、Ni 和 Mn 制成的锂离子电池正极材料
由于对电池驱动消费产品的巨大需求，锂离子电池市场正在持续增长。所谓的 “NCM”（镍、钴和锰氧化物的混合物）作为正极材料，取代了钴氧化物等传统化合物，正在引起人们的兴趣。相应金属的全自动分析可通过 OMNIS 及其移液设备进行。
- AN-V-185作为电气产品一部分的电子元器件中的镉和铅
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用 pH 值为 2 的草酸铵缓冲液来测定电子部件中的铅和镉。
- AN-V-186作为电气产品一部分的电子元器件中的铬（VI）
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可在 pH 值为 9.6 的氨缓冲液中以极谱法测定铬（VI）。
- AN-V-187作为电气产品一部分的电子元器件中的汞
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用金旋转圆盘电极（Au-RDE）来测定电子部件中的汞。
- AN-V-188作为电气产品一部分的聚合物材料中的镉和铅
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用 pH 值为 2 的草酸铵缓冲液来测定聚合物材料中的铅和镉。
- AN-V-189作为电气产品一部分的聚合物材料中的铬（VI）
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可在 pH 值为 9.6 的氨缓冲液中，以极谱法测定聚合物材料中的铬（VI）。
- AN-V-190作为电气产品一部分的聚合物材料中的汞
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用金旋转圆盘电极（Au-RDE）来测定聚合物材料中的汞。
- AN-V-191作为电气产品一部分的金属材料中的镉和铅
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用 pH 值为 2 的草酸铵缓冲液来测定金属材料中的铅和镉。
- AN-V-192作为电气产品一部分的金属材料铬酸盐涂层中的铬（VI）
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过吸附溶出伏安法（AdSV）、以 DTPA（二乙烯三胺五乙酸）作为络合剂来测定金属材料铬酸盐涂层中的铬（VI）。
- AN-V-193作为电气产品一部分的金属材料中的汞
EU «Restriction of Hazardous Substances»（RoHS，有害物质限制）指令要求测试电气产品中是否含有四种有害金属（Pb、Hg、Cd、Cr(VI)）。在根据 IEC 62321 完成样品准备后，可通过阳极溶出伏安法（ASV）、用金旋转圆盘电极（Au-RDE）来测定金属材料中的汞。
- TA-019同时测定在蚀刻浴中的矿物酸，氟化物和硅酸盐
本文描述离子色谱法，用于在酸性蚀刻浴中同时测定 HF、HNO3、H2SO4、短链有机酸，以及 H2SiF6。
- TA-020环境中的 IC-MS 和 IC-ICP/MS 分析
本文将介绍离子色谱与质谱（IC-MS）以及等离子体质谱（IC-ICP/MS）耦合，用于分析环境中潜在的有害微量化合物。
- TA-021使用燃烧离子色谱法（CIC），测定复杂有机基质中的卤素和含硫量
裂解及其后的离子色谱法（CIC）的自动化组合，使在所有可燃固体及液体基质中并行检测卤素和硫成为可能。此方法的优势在于其出色的精确度和准确性以及高度样品通量。
